真空馈通电极（穿心陶瓷电极）

参数指标

• 陶瓷纯度： 99.7% Al₂O₃
• 导体材质： 可伐合金 (4J29)，表面镀金
• 封接方式： Mo-Mn金属化 + Ag72Cu28钎焊
• 绝缘电阻： ≥1×10¹³ Ω (500 V DC, 25℃)
• 介电强度： ≥18 kV/mm (DC)
• 漏率： ≤1×10⁻¹⁰ Pa·m³/s
• 烘烤温度： 400℃ (真空/保护气氛)
• 额定电流： 10 A (稳态)

产品介绍

　　本产品为采用高纯氧化铝陶瓷与金属导体通过高温钎焊或活性封接工艺制成的电极芯体，是构成各类真空馈通组件的核心功能单元。陶瓷绝缘体提供优异的体电阻与介电强度，金属导体可选钨、钼、可伐合金、铂铱合金等，二者界面形成致密且热力学稳定的封接层。产品可作为独立组件供客户自行装配于法兰基座，也可作为替换件用于分体式馈通系统，广泛服务于需要高绝缘、低漏率及耐烘烤性能的真空电子与科学仪器领域。

技术特征

　　陶瓷材料体系：绝缘体采用95%至99.7%高纯氧化铝（Al₂O₃），体积电阻率≥1×10¹⁴ Ω·cm (25℃)，介电常数约9.0–10.5 (1 MHz)，介质损耗角正切≤3×10⁻⁴，抗弯强度≥300 MPa，热膨胀系数（7.0–8.5）×10⁻⁶/K，与可伐合金具备良好热匹配。
　　导体选项：中心导体选用可伐合金（4J29，表面可镀金、镀镍）、纯钨、纯钼、无氧铜（TU1）或铂铱合金；大气侧可预装焊杯、BNC/SMA连接器或引线端头。
　　封接工艺：采用Mo-Mn金属化+镍镀层后与Ag-Cu共晶钎料封接，或直接使用含钛活性钎料实现陶瓷-金属无金属化封接，界面剪切强度≥100 MPa，氦质谱检漏漏率≤1×10⁻¹⁰ Pa·m³/s。
　　构型多样性：提供单芯圆柱电极、多芯阵列电极、同轴电极（可集成接地屏蔽筒）及带保护套管的铠装电极。电极长度与直径可按亚毫米精度定制，适用于密集穿通或狭小空间。
　　耐温与耐压：可承受400℃持续烘烤（空载），短时耐温可达600℃（非氧化气氛）；标准单芯电极额定直流电压覆盖500 V至15 kV，5 kV型极间耐压测试电流≤1 μA。
　　释气与洁净度：陶瓷表面经超净清洗与预除气处理，200℃下真空释气率低于5×10⁻⁸ Pa·L/s·cm²，适用于对碳氢污染敏感的超高真空环境

典型应用场合

　　真空馈通组件制造商配套、质谱仪与电子显微镜离子源电极、分子束外延束源绝缘支撑、等离子体探针与
Langmuir探针、高压电缆真空引入端子、半导体设备静电吸盘供电电极。